El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término "transistor" es la contracción en inglés de transfer resistor ("resistencia de transferencia"). Actualmente se los encuentra prácticamente en todos los aparatos domésticos de uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video, hornos de microondas, lavadoras, automóviles, equipos de refrigeración, alarmas, relojes de cuarzo, computadoras, calculadoras, impresoras, lámparas fluorescentes, equipos de rayos X, tomógrafos, ecógrafos, reproductores mp3, teléfonos móviles, etc.
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.
Una forma de identificar un transistor NPN o PNP es mediante un Multímetro: Este dispone de varios orificios para insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda determinado si es un NPN o un PNP. Generalmente indicando el valor del hFE.
Zonas de funcionamiento del transistor bipolar:
1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se comporta como una fuente de corriente constante controlada por la intensidad de base (ganancia de corriente).Este parámetro lo suele proporcionar el fabricante dándonos un máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic); además de esto, suele presentar una variación acusada con la temperatura y con la corriente de colector, por lo que en principio no podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces de medir este parámetro pero esta medida hay que tomarla solamente como una indicación, ya que el polímetro mide este parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que circulará por el BJT una vez en el circuito.
2. SATURACIÓN: En esta zona el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y lo podemos considerar como un cortocircuito entre el colector y el emisor.
3. CORTE: el transistor es utilizado para aplicaciones de conmutación (potencia, circuitos digitales, etc.), y podemos considerar las corrientes que lo atraviesan prácticamente nulas (y en especial Ic).
4. RUPTURA: Es la zona creada al final de la zona activa debido a la polarización del diodo que se encuentra en inverso, es indeseable ya que la ubicación del punto de trabajo Q en esta zona produce que el incremento de la corriente de la salida del transistor sea insostenible(primera avalancha) y si se ubica en una zona próxima provocará que cambios moderados en la temperatura obliguen al transistor a autodestruirse (Segunda avalancha).
5. ACTIVA INVERSA: Esta zona se puede considerar como carente de interés.
EN LA PARTE DE ABAJO EXISTE UN LINK LLAMADO material pdf que te ayudará con los ejercicios QUE TE LLEVA A GOOGLE PAGES, DE DONDE PUEDES DESCARGAR EL ARCHIVO PDF (LE DAS AL LINK DOWLOADS Y LISTO) QUE TE AYUDARÁ A RESOLVER LOS EJERCICIOS, RECUERDA QUE EL SÁBADO ABRÁ UNA SECCIÓN DE EJERCICIOS QUE SERÁN LA CLAVE DEL EXAMEN.
FELIZ NAVIDAD...!
Anexo Tambien los ejercicios resueltos pal examen.
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